| 型号： | MUN5312DW1T2G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363 |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| MUN5312DW1T2G PDF |  |
| 产品变化通告 | Reactivation Notice 23/Dec/2010 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 22k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | 22k |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 60 @ 5mA，10V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 250mV @ 300µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 频率 - 转换 | - |
| 功率 - 最大 | 385mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装 | SOT-363 |
| 包装 | 带卷 (TR) |